dépôt chimique en phase vapeur (cvd — Traduction en …

Nombreux exemples de traductions classés par domaine d'activité de "dépôt chimique en phase vapeur (cvd" – Dictionnaire français-anglais et assistant de traduction intelligent.

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EP2784175A1

La présente invention concerne un équipement de dépôt de diamant en phase vapeur comprenant : - un réacteur sous vide (3) comprenant une chambre de réaction reliée à une …

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WO1996032360A1

L'infiltration est réalisée au sein d'un substrat poreux à une température au plus égale à 1050 °C et la phase gazeuse contient un précurseur gazeux du matériau à infiltrer et du chlorure …

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CVD dans le système CH₃SiCl₃/H₂ : cinétiques expérimentales …

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de céramique à base ce carbure de silicium (SiC) à partir du mélange CH₃SiCl₃/H₂ a été étudié pour des pressions totales et des températures …

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Qu'est-Ce Que Le Dépôt Chimique En Phase Vapeur Du …

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de carbure de silicium (SiC) est un processus utilisé pour créer des revêtements ou des films SiC de haute pureté sur des substrats. Cette …

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Qu'est-ce que le dépôt chimique en phase vapeur de carbure de silicium

Découvrez comment le dépôt en phase vapeur du carbure de silicium produit des films SiC de haute qualité présentant une dureté, une conductivité thermique et une résistance à l'usure …

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FR3081475A1

La présente invention concerne un procédé de traitement d'une fibre en carbure de silicium comprenant : - le dépôt d'une couche de carbure de silicium SiC par un procédé de dépôt …

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Vue D'ensemble Des 12 Types De Techniques De Dépôt …

Le dépôt chimique en phase vapeur à haute température (HTCVD) est une technique essentielle pour la croissance de cristaux de carbure de silicium, un matériau réputé pour ses propriétés …

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Elaboration par frittage sous charge et oxydation de …

Etude de la protection contre l'oxydation de ceramiques poreuses de si::(3)n::(4) et sic par un revetement de sic octenu par depot chimique en phase vapeur. Cinetique du frittage sous …

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Qu'est-ce que le dépôt chimique en phase vapeur de …

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de carbure de silicium est un processus spécialisé utilisé pour produire des films ou des revêtements de carbure de silicium (SiC) de haute qualité …

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dépôt chimique en phase vapeur (CVD) par

Translations in context of "dépôt chimique en phase vapeur (CVD) par" in French-English from Reverso Context: La couche à nanopuces de carbone est formée, par exemple, au moyen d'un …

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de dépôt chimique en phase vapeur (CVD

Translations in context of "de dépôt chimique en phase vapeur (CVD" in French-English from Reverso Context: Certains modes de réalisation de l'invention concernent en général des …

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Online dictionaries by bab.la

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Bibliographies: 'Dépôt chimique' – Grafiati

Relevant bibliographies by topics / Dépôt chimique. Academic literature on the topic 'Dépôt chimique' Author: Grafiati. Published: 4 June 2021 Last updated: 7 February 2022 Create a …

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Dissertations / Theses: 'Dépôt chimique à partir d'une phase vapeur …

To see the other types of publications on this topic, follow the link: Dépôt chimique à partir d'une phase vapeur (CVD). Author: Grafiati. Published: 4 June 2021 Last updated: 18 February 2022 …

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EP1630249A3

EP1630249A3 - Procédé de dépôt en phase vapeur de nitrure de silicium. - Google Patents Procédé de dépôt en phase vapeur de nitrure de silicium. Download PDF Info Publication …

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EP0899358B1

Production de carbure de silicium Download PDF Info Publication number ... German (de) English (en) Other versions EP0899358A2 (fr EP0899358A3 (fr Inventor Akihiro Kuroyanagi Tomiya …

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WO2018002510A1

La présente invention concerne un procédé d'infiltration ou de dépôt chimique en phase vapeur comprenant au moins l'étape suivante : - formation de carbure de silicium dans la porosité d'un...

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Modélisation globale de l'infiltration chimique en phase vapeur …

Ce mémoire est consacré à la modélisation de l'infiltration chimique en phase vapeur (CVI), procédé utilisé pour la fabrication des composites thermostructuraux et en particulier les …

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CA2058809A1

CA2058809A1 CA002058809A CA2058809A CA2058809A1 CA 2058809 A1 CA2058809 A1 CA 2058809A1 CA 002058809 A CA002058809 A CA 002058809A CA 2058809 A CA2058809 A …

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WO2012013869A1

Un réacteur (1) comprend : une enceinte (3) présentant une paroi inférieure (15), une paroi supérieure (17) et une paroi latérale (19) reliant la paroi inférieure (15) à la paroi supérieure ( …

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Bibliographies: 'Dépôt par voie chimique en phase vapeur …

Relevant bibliographies by topics / Dépôt par voie chimique en phase vapeur. Contents. Journal articles Dissertations / Theses Academic literature on the topic 'Dépôt par voie chimique en …

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EP3478870A1

La présente invention concerne un procédé d'infiltration ou de dépôt chimique en phase vapeur comprenant au moins l'étape suivante : - formation de carbure de silicium dans la porosité d'un …

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Bibliographies: 'Dépôt chimique phase vapeur' – Grafiati

Relevant bibliographies by topics / Dépôt chimique phase vapeur. Academic literature on the topic 'Dépôt chimique phase vapeur' Author: Grafiati. Published: 4 June 2021 Last updated: 4 March …

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Fours LPCVD.

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  • Google Patentshttps://patents.google › patent › fr

    WO2022006927A1

    L'invention concerne un module de réaction de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) d'un appareil d'épitaxie de carbure de silicium, comprenant un boîtier en quartz (100), …

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  • WO2020120857A1

    La présente invention concerne un procédé d'infiltration ou de dépôt chimique en phase vapeur, comprenant au moins : - la formation de pyrocarbone dans la porosité d'un substrat poreux ou …

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    WO2020242292A1

    Selon un premier aspect de l'invention, l'invention concerne un article de chambre de dépôt chimique en phase vapeur tel qu'un support de tranche, pour la fabrication de composants …

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    WO2006045920A1

    Procédé pour former une couche de carbure de silicium cubique, sur la surface d'un substrat de silicium monocristallin, comprenant les étapes successives suivantes : a) une carburation dans …

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    Investigation of dopant incorporation in silicon carbide …

    Etude de l'incorporation des dopants N et Al dans des films de carbure de silicium épitaxiées en phase vapeur Ce travail est consacré à l'étude de l'incorporation volontaire des dopants dans …

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    WO1998021163A1

    L'invention concerne un procédé d'infiltration chimique en phase vapeur de matières réfractaires, notamment un procédé appliqué dans des conditions isothermes et isobares, fondé sur la …

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